- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Технические характеристики:
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 35 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7(6.1) A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 7(6) ns
Выходная емкость (Cd): 150(165) pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025(0.04) Ohm
Корпус: DIP8
Тип товара: | Микросхемы |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Advanced Power Elec. (APEC) |
Корпус: | DIP-8 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.