- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 12 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0185 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Vishay Semiconductors |
Корпус: | SOIC-8 |
Максимальная рассеиваемая мощность, W: | 1.3 |
Напряжение пробоя сток-исток Vds:: | 30 |
Непрерывный ток утечки TC = 25°C,A: | 6.5 |
Полярность транзистора:: | N-Channel |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.