- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Сопутствующие товары1
Структура: N-канал
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 160 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V
Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 0.15 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 350 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
Комплементараная пара 2SJ162
Тип корпуса: TO3P
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Renesas Technology |
Корпус: | TO-3PN |
Количество каналов:: | 1 Channel |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рассеиваемая мощность, W: | 100 |
Напряжение пробоя сток-исток Vds:: | 160 |
Непрерывный ток утечки TC = 25°C,A: | 7 |
Полярность транзистора:: | N-Channel |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.