- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Технические характеристики:
Параметры N-канального транзистора:
Максимальное напряжение сток-исток:VDS (V) = 30V -30V
Максимальный ток сток-исток при 25 С: +6.9A (VGS = 10V) -5A (VGS = -10V)
Максимальное напряжение затвор-исток: ±12 В
Сопротивление канала в открытом состоянии: 27 мОм
Параметры N-канального транзистора:
Максимальное напряжение сток-исток: -30 В
Максимальный ток сток-исток при 25 С: -5 А
Максимальное напряжение затвор-исток: ±12 В
Сопротивление канала в открытом состоянии: 49 мОм
Максимальная рассеиваемая мощность: 2 Вт
Корпус: SO8
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Alpha & Omega Semiconductor(A&O) (AOS) |
Корпус: | SOIC-8 |
Максимальная рассеиваемая мощность, W: | 2 |
Напряжение пробоя сток-исток Vds:: | 30 |
Непрерывный ток утечки TC = 25°C,A: | 6.9 |
Полярность транзистора:: | N-P Channel |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.