- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Количество каналов:1 Channel
Полярность транзистора:N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток:200 V
Id - непрерывный ток утечки:9 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:400 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток:10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :2 V
Qg - заряд затвора:31 nC
Pd - рассеивание мощности:75 W
Конфигурация:Single
Канальный режим:Enhancement
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:3 S
Время нарастания:15 ns
Типичное время задержки при включении:10 ns
Рабочая температура:- 65 C...+ 150 C
Корпус: TO-220-3(TO-220AB)
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Конфигурация: | Single |
Напряжение пробоя сток-исток Vds:: | 200 |
Полярность транзистора:: | N-Channel |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.