- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Технические характеристики:
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: P-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: - 55 V
Id - непрерывный ток утечки: - 31 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 65 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : - 4 V
Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V
Qg - заряд затвора: 42 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Конфигурация: Single
Pd - рассеивание мощности: 110 W
Канальный режим: Enhancement
Тип транзистора: 1 P-Channel
Тип: HEXFET Power MOSFET
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 8 S
Время спада: 63 ns
Время нарастания: 66 ns
Размер фабричной упаковки: 2000
Типичное время задержки выключения: 39 ns
Типичное время задержки при включении: 14 ns
Корпус: TO-252-3
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | International Rectifier (IRf) |
Корпус: | DPAK/TO-252-3 |
Напряжение пробоя сток-исток Vds:: | 55 |
Полярность транзистора:: | P-Channel |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.