- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Количество каналов:1 Channel
Полярность транзистора:N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток:800 V
Id - непрерывный ток утечки:3 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:3.5 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток:30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :4.5 V
Qg - заряд затвора:22.5 nC
Минимальная рабочая температура:- 55 C
Максимальная рабочая температура:+ 150 C
Pd - рассеивание мощности:25 W
Конфигурация:Single
Канальный режим:Enhancement
Тип транзистора:1 N-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:2.9 S
Время спада:32 ns
Время нарастания:12 ns
Типичное время задержки выключения:35 ns
Типичное время задержки при включении:13 ns
Корпус TO-220-3-FP
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | TO-220-3-FP |
Полярность транзистора:: | N-Channel |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.