- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах 12
Технические характеристики:
Количество каналов:1 Channel
Полярность транзистора:N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток:600 V
Id - непрерывный ток утечки:6 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:1.2 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток:30 V
Pd - рассеивание мощности:30 W
Время спада:19 ns
Время нарастания:14 ns
Типичное время задержки выключения:47 ns
Типичное время задержки при включении:14 ns
Рабочая температура:- 55 C...+ 150 C
Корпус: TO-220-3-FP
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | TO-220-3-FP |
Количество каналов:: | 1 Channel |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рассеиваемая мощность, W: | 30 |
Напряжение пробоя сток-исток Vds:: | 600 |
Непрерывный ток утечки TC = 25°C,A: | 6 |
Полярность транзистора:: | N-Channel |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.