FGA6560WDF
Код товара: 047667
До бесплатной доставки еще - Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) FGA6560WDF
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.8 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 120 A
Pd - рассеивание мощности: 306 W
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 120 A
Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA
Корпус TO-3P (N)
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.8 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 120 A
Pd - рассеивание мощности: 306 W
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 120 A
Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA
Корпус TO-3P (N)
Похожие товары
| Тип товара: | Транзисторы IGBT |
| Гарантия: | Отсутствует |
| Производитель: | ON Semiconductor Corporation-Fairchild Semiconductor (ONS-FSC) |
| Корпус: | TO-3P(N) (2-16C1A) |
| Макс. ток коллектора TC = 25°C,A: | 120 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, W: | 306 |
| Напряжение коллектор-эмиттер VCEO, макс.: | 650 |
Производитель оставляет за собой право изменять
характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного
уведомления продавца.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Похожие товары
Написать отзыв
Изображение и описание, параметры товаров, представленных на нашем сайте, носят исключительно
информационный характер и могут быть неточными.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
