- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 170
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 230
Корпус: 2-21F2C
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Toshiba (TOS) |
Корпус: | 2-21F2C |
Количество каналов:: | 1 Channel |
Макс. ток коллектора TC = 25°C,A: | 60 |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рассеиваемая мощность, W: | 170 |
Напряжение коллектор-эмиттер VCEO, макс.: | 1000 |
Полярность транзистора:: | N-Channel |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.