- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 600
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 650
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.5
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 120
Максимальная температура перехода (Tj): 175
Время нарастания: 47
Емкость коллектора (Cc), pf: 270
Тип корпуса: TO-3PN
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ON Semiconductor Corporation-Fairchild Semiconductor (ONS-FSC) |
Корпус: | TO-3P(N) (2-16C1A) |
Макс. ток коллектора TC = 25°C,A: | 120 |
Максимальная рассеиваемая мощность, W: | 600 |
Напряжение коллектор-эмиттер VCEO, макс.: | 650 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.