- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Технические характеристики:
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 800 V
Id - непрерывный ток утечки: 4.3 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2.4 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V
Qg - заряд затвора: 32.4 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Конфигурация: Single
Канальный режим: Enhancement
Серия: N-channel MDmesh
Тип транзистора: 1 N-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 4.25 S
Время спада: 30 ns
Pd - рассеивание мощности: 110 W
Время нарастания: 25 ns
Типичное время задержки выключения: 45 ns
Типичное время задержки при включении: 18 ns
Корпус: TO220AB
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Количество каналов:: | 1 Channel |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рассеиваемая мощность, W: | 110 |
Напряжение пробоя сток-исток Vds:: | 800 |
Непрерывный ток утечки TC = 25°C,A: | 4.3 |
Полярность транзистора:: | N-Channel |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.