- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Технология:Si
Количество каналов:1 Channel
Полярность транзистора:N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток:60 V
Id - непрерывный ток утечки:60 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:14 mOhms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :2 V
Vgs - напряжение затвор-исток:10 V
Qg - заряд затвора:54 nC
Pd - рассеивание мощности:110 W
Конфигурация:Single
Канальный режим:Enhancement
Коммерческое обозначение:STripFET
Тип транзистора:1 N-Channel Power MOSFET
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:50 S
Время спада:16 ns
Время нарастания:60 ns
Типичное время задержки выключения:40 ns
Типичное время задержки при включении:15 ns
Рабочая температура:- 55 C...+ 175 C
Корпус:TO-220-3
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Количество каналов:: | 1 Channel |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рассеиваемая мощность, W: | 110 |
Напряжение пробоя сток-исток Vds:: | 60 |
Непрерывный ток утечки TC = 25°C,A: | 60 |
Полярность транзистора:: | N-Channel |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.