- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Marking SVF20N50F
Напряжение сток-исток VDS 500 В
Напряжение затвор-исток VGS ±30 В
Ток стока ID TC=25°C 20A
ТС=100°С 12,6А
Импульсный ток стока IDM 80,0 A
Рассеиваемая мощность (TC=25°C) - Снижение выше 25°C PD 72...252 Вт
Энергия одиночной импульсной лавины (Примечание 1) EAS 1596 мДж
Рабочий диапазон температур перехода TJ -55~+150 °C
Напряжение пробоя сток-исток BVDSS VGS=0В, ID=250мкА 500 -- -- В
Ток утечки сток-исток IDSS VDS=500В, VGS=0В -- -- 1,0 мкА
Ток утечки затвор-исток IGSS VGS=±30В, VDS=0В -- -- ±100 нА
Пороговое напряжение затвора VGS(th) VGS= VDS, ID=250 мкА 2,0 -- 4,0 В
Статический сток-источник
О государственном сопротивлении
RDS(вкл.) VGS=10 В, ID=10,0 А -- 0,20 0,27 Ом
Входная емкость Ciss VDS=25 В, VGS=0 В, f=1,0 МГц -- 2687,7 пФ
Корпус TO-220-3-FL
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Silan Microelectronics |
Корпус: | TO-220-3-FL |
Количество каналов:: | 1 Channel |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рассеиваемая мощность, W: | 252 |
Напряжение пробоя сток-исток Vds:: | 500 |
Непрерывный ток утечки TC = 25°C,A: | 20 |
Полярность транзистора:: | N-Channel |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.