- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V
Id - непрерывный ток утечки: 7 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 500 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 3.7 V
Qg - заряд затвора: 15 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Pd - рассеивание мощности: 60 W
Канальный режим: Enhancement
Конфигурация: Single
Время спада: 7 ns
Время нарастания: 18 ns
Типичное время задержки выключения: 55 ns
Типичное время задержки при включении: 40 ns
Выходная емкость (Cd): 13 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm
Корпус: DPAK/TO-252-3
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Toshiba (TOS) |
Корпус: | DPAK/TO-252-3 |
Количество каналов:: | 1 Channel |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рассеиваемая мощность, W: | 60 |
Напряжение пробоя сток-исток Vds:: | 600 |
Непрерывный ток утечки TC = 25°C,A: | 7 |
Полярность транзистора:: | N-Channel |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.