- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Технические характеристики:
Количество каналов: 1 Channel
Полярность транзистора: N-Channel
Конфигурация: Single
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 900 V
Id - непрерывный ток утечки: 5.8 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2 Ohms
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 3.75 V
Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V
Qg - заряд затвора: 46.5 nC
Pd - рассеивание мощности: 30 W
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 5 S
Время спада: 20 ns
Время нарастания: 45 ns
Типичное время задержки выключения: 20 ns
Типичное время задержки при включении: 17 ns
Рабочая температура: - 55 C ...+ 150 C
Корпус: TO-220FP-3
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ST Microelectronics (STM) |
Корпус: | TO-220-3-FP |
Количество каналов:: | 1 Channel |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рассеиваемая мощность, W: | 30 |
Напряжение пробоя сток-исток Vds:: | 900 |
Непрерывный ток утечки TC = 25°C,A: | 5.8 |
Полярность транзистора:: | N-Channel |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.