BPT-BP2931
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Тип транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер VCEO 30 В
Напряжение эмиттер-коллектор VECO 5 В
Рассеиваемая мощность Pd 100 мВт
Длина волны максимальной чувствительности (λSmax), нм 940
Время нарастания Tr F=100 Гц, Vce=5 В, RL=1 кОм 10 μs
Время спада Tf F=100 Гц, Vce=5 В, RL=1 кОм 15 μs
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) Ic=0,5 мА, Ee=0,5 мВт/см2 0,5 В
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер V(BR)CEO Ic=1мА,Ee=0мВт/см2 30 В
Напряжение пробоя эмиттер-коллектор V(BR)ECO Ie=100мА,Ee=0мВт/см 2 5 В
Световой ток Ic(on) Vce=5В, Ee=0,5мВт/см2 0,5-0,6 мА
Темновой ток Id Vce=10В,Ee=0мВт/см2 100 нА
Угол обзора 2q1/2 Vce=5В,Ee=0,5мВт/см2 30 градусов
Рабочая температура Topr -45 +85 ℃
Размер линзы:3мм
Цвет линзы: темная не прозрачная.
Тип товара: | Фототранзисторы |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Bright-Led |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.