AP8012C, Микросхема
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Напряжение пробоя VDMOS- 730 V
Ток утечки напряжения IDSS (VDS=500V;VCOMP=2V)- 100 μA
Напряжение питания от VCC 0 до 50 V
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии RDS(on) - (VGS=10V.ID=0.4A;) 27.. 30 Ω
Время нарастания Tr 50ns
Время спад TF -100ns
Сброс емкости VDMOS VDS=25V - 40 pF
Корпус :DIP-8
Не показывать на сайте: | Нет |
Тип товара: | Микросхемы |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | AiT Semiconductor |
Корпус: | DIP-8 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.