LM258DR2G, Микросхема
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Технические характеристики:
Количество каналов:2 Channel
Напряжение питания - мин.:3 V
Напряжение питания - макс.:32 V
GBP - Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):1 MHz
Выходной ток на канал:40 mA
SR - скорость нарастания выходного напряжения:0.6 V/us
Vos - Входное напряжение смещения нуля:5 mV
Ib - Входной ток смещения:150 nA
Рабочий ток источника питания:1.2 mA
Отключение:No Shutdown
CMRR - Коэффициент подавления синфазного сигнала:70 dB
Напряжение сдвоенного питания:+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V
Максимальное напряжение сдвоенного питания:+/- 16 V
Минимальное напряжение сдвоенного питания:+/- 1.5 V
Рабочее напряжение питания:3 V to 32 V, +/- 1.5 V to +/- 16 V
PSRR - Коэффициент подавления помех по питанию:65 dB
Vcm - Синфазное напряжение:Negative Rail to Positive Rail - 1.7 V
Усиление по напряжению, дБ:100 dB
Рабочая температура:-25...85 °C
Корпус: SO8-150-1.27
Тип товара: | Микросхемы |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ON Semiconductor Corporation(ONS) |
Корпус: | SOIC-8 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.