LM258P, Микросхема
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Напряжение питания - макс.:32 V
Выходной ток на канал:30 mA
Количество каналов:2 Channel
GBP - Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):700 kHz
SR - скорость нарастания выходного напряжения:0.3 V/us
CMRR - Коэффициент подавления синфазного сигнала:70 dB to 80 dB
Ib - Входной ток смещения:150 nA
Vos - Входное напряжение смещения нуля:5 mV
Напряжение питания - мин.:3 V
Рабочий ток источника питания:350 uA
Минимальная рабочая температура:- 25 C
Максимальная рабочая температура:+ 85 C
Напряжение сдвоенного питания: +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V
Максимальное напряжение сдвоенного питания: +/- 16 V
Минимальное напряжение сдвоенного питания: +/- 1.5 V
Рабочее напряжение питания: 3 V to 32 V, +/- 1.5 V to +/- 16 V
Vcm - Синфазное напряжение: Negative Rail to Positive Rail - 1.5 V
Усиление по напряжению, дБ: 100 dB
Отключение:No Shutdown
Тип усилителя:High Gain Amplifier
Тип входа:Rail-to-Rail
Тип питания:Single, Dual
Технология:Bipolar
Корпус DIP-8
Тип товара: | Микросхемы |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Texas Instruments(TI) |
Корпус: | DIP-8 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.