LM2904DR2G, Микросхема
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Напряжение питания - макс.: 32 V
Выходной ток на канал: 40 mA
Количество каналов: 2 Channel
GBP - Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 1 MHz
SR - скорость нарастания выходного напряжения: 0.6 V/us
CMRR - Коэффициент подавления синфазного сигнала: 50 dB
Ib - Входной ток смещения: 250 nA
Vos - Входное напряжение смещения нуля: 7 mV
Напряжение питания - мин.: 3 V
Рабочий ток источника питания: 1.2 mA
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 105 C
Отключение: No Shutdown
Тип усилителя: General Purpose Amplifier
Напряжение сдвоенного питания: +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V
Максимальное напряжение сдвоенного питания: +/- 16 V
Минимальное напряжение сдвоенного питания: +/- 1.5 V
Рабочее напряжение питания: 3 V to 32 V, +/- 1.5 V to +/- 16 V
PSRR - Коэффициент подавления помех по питанию: 50 dB
Vcm - Синфазное напряжение: Negative Rail to Positive Rail - 5.7 V
Усиление по напряжению, дБ: 100 dB
Корпус: SOIC-8
Не показывать на сайте: | Нет |
Тип товара: | Микросхемы |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | ON Semiconductor Corporation(ONS) |
Корпус: | SOIC-8 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.