2N60, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 54 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Импульсный ток внутреннего диода: 8 Ампер
Время восстановления внутреннего диода: 180 нС
Время нарастания (tr): 35 ns
Выходная емкость (Cd): 45 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3.6 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналоги транзистора 2N60: SPD02N60C3, STD2NM60T4, SPD02N60S5, STD2NM60T4, 2SK1721, IRF820S, STB3NB60, IRFS9N60A, STD2NB60, IRFS9N60A, 2SK892, IRFD420.
Не показывать на сайте: | Нет |
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | КНР |
Корпус: | TO-251AA (I-PAK) |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 600 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.