2N6491G, Транзистор биполярный
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Корпус: TO-220-3
Полярность транзистора: PNP
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 80 V
Напряжение коллектор-база (VCBO): 90 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 3.5 V
Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 5 MHz
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Непрерывный коллекторный ток: 15 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): 20
Высота: 15.75 mm
Длина: 10.53 mm
Минимальная рабочая температура: - 65 C
Упаковка: Tube
Pd - рассеивание мощности: 75 W
Ширина: 4.83 mm
Вес изделия: 6 g
Не показывать на сайте: | Нет |
Тип товара: | Транзисторы биполярные |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | ON Semiconductor Corporation(ONS) |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.