2SJ200, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Сопутствующие товары1
- Наличие в магазинах
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 180 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 350 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Toshiba (TOS) |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.