B0210D, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Абсолютные максимальные показатели (TA = 25 ℃, если не указано иное):
Напряжение дренажного источника VDSS 100 В
Напряжение затвор-исток VGSS ± 20 В
Рабочий ток (tJ = 150 ID) ID TA = 25 A 10A / TA = 70 ℃ 6A
Импульсный ток утечки IDM 20 A
Непрерывный ток источника (диодная проводимость) составляет 1,7 А
Максимальная мощность рассеивания PD TA = 25 ℃ 25 Вт / TA = 70 ℃ 16 Вт
Рабочая температура соединения TJ -55 до 150 ℃
Термостойкое соединение с корпусом RθJC 5 ℃ / W
Применение
Светодиодная подсветка
ЖК монитор
ЖК телевизор
DC / DC преобразователь
Переключатель нагрузки
Корпус TO-252-3
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Beyond Innovation Technology Co. |
Корпус: | DPAK/TO-252-3 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 100 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.