CRG15T120BNR3S, Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Маркировка: G15T120BNR3S
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 156
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.95
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Входная емкость Cies 1513 пФ
Выходная емкость Coes — 35 пФ
Емкость обратной передачи Cres — 25 пФ
td(ON) Время задержки включения Tj= 25℃- 14 нс
tr Время нарастания Tj= 25℃- 32 нс
td(OFF) Время задержки выключения Tj= 25℃- 107 нс
tf Время спада Tj= 25℃- 131 нс
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 81.5
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус: TO3P(N)E
Не показывать на сайте: | Нет |
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | Microchip Technology (MCRCH) |
Корпус: | TO-3PN |
Максимальный ток коллектора, A: | 30 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 1200 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.