CSD86330Q3D, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 4.8 nC
Время нарастания (tr): 7.5 ns
Выходная емкость (Cd): 350 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0088 Ohm
Тип корпуса: SON3.3X3.3
Не показывать на сайте: | Да |
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | КНР |
Корпус: | SON3.3X3.3 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 25 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.