FCP22N60N, Транзистор MOSFET
Код товара: 066510
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Транзистор MOSFET FCP22N60N
Технология SuperMOS®
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 205 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 22 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.165 Ohm
Корпус:TO-220-3(TO-220AB)
Технология SuperMOS®
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 205 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 22 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.165 Ohm
Корпус:TO-220-3(TO-220AB)
| Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
| Гарантия: | Отсутствует |
| Производитель: | ON Semiconductor Corporation(ONS) |
| Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
| Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 600 |
Производитель оставляет за собой право изменять
характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного
уведомления продавца.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Написать отзыв
Изображение и описание, параметры товаров, представленных на нашем сайте, носят исключительно
информационный характер и могут быть неточными.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
