FDS4559, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность транзистора: N-Channel, P-Channel
Количество каналов: 2 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V
Id - непрерывный ток утечки: 4.5 A, 3.5 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 55 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 1 V, 3 V
Qg - заряд затвора: 18 nC, 21 nC
Pd - рассеивание мощности: 2 W
Канальный режим: Enhancement
Коммерческое обозначение: PowerTrench
Конфигурация: Dual
Тип транзистора: 1 N-Channel, 1 P-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 14 S, 9 S
Время спада: 6 ns, 12 ns
Время нарастания: 8 ns, 10 ns
Типичное время задержки выключения: 19 ns, 19 ns
Типичное время задержки при включении: 11 ns, 7 ns
Рабочая температура: - 55 C...+ 175 C
Корпус SOIC-8
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | КНР |
Корпус: | SOIC-8 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 60 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.