FDS4935BZ, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 29 nC
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 240 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | КНР |
Корпус: | SOIC-8 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 30 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.