FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 50
100°C, A 25
Импульсный ток коллектора (Icm), А 90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.65
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 312
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 50
tr Время нарастания -- при 25°C,60... 90 нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 190
tf Время спада --при 25°C, 100...180 нс
Входная емкость Cies -- 3700 -- пФ
Выходная емкость Coes -- 130 -- пФ
Емкость обратной передачи Cres -- 80 -- пФ
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус: TO-3PN
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ON Semiconductor Corporation-Fairchild Semiconductor (ONS-FSC) |
Корпус: | TO-3PN |
Максимальный ток коллектора, A: | 50 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 1200 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.