FGH40N60SFDTU, Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), В: 600
Максимальное напряжение затвор-эмиттер, В: +/- 20
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 290
Ток коллектора @ TC = 25oC 80 A
Ток коллектора при ТС = 100oC 40 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Максимальная рассеиваемая мощность при TC = 25°C 290 Вт
Максимальная рассеиваемая мощность при TC = 100°C 116 Вт
Входная емкость Cies - 2110 - пФ
Выходная емкость преобразователя - 200 пФ
Емкость обратной передачи Cres - 60 - пФ
td(on) Время задержки включения - 25 нс
tr Время нарастания - 42 нс
td(off) Время задержки выключения - 115 нс
tf Время спада - 27-54 нс
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 121
Рабочая температура: - 55 C ...+ 150 C
Корпус: TO-247-3
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ON Semiconductor Corporation-Fairchild Semiconductor (ONS-FSC) |
Корпус: | TO-247-3 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.