FGH40N60UFDTU, Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Технические характеристики:
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), В: 600
Максимальное напряжение затвор-эмиттер, В: +/- 20
Максимальная рассеиваемая мощность при TC = 25°C 290 Вт
Максимальная рассеиваемая мощность при TC = 100°C 116 Вт
Ток коллектора @ TC = 25oC 80 A
Ток коллектора при ТС = 100oC 40 A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1,8
Входная емкость - 2110 - пФ
Выходная емкость - 200 - пФ
Емкость обратной передачи - 60 - пФ
td(on) Время задержки включения - 24 - нс
tr Время нарастания - 44 - нс
td(off) Время задержки выключения - 112 - нс
tf Время спада - 30 60 нс
Рабочая температура: - 55 C ...+ 150 C
Корпус: TO-247-3
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ON Semiconductor Corporation-Fairchild Semiconductor (ONS-FSC) |
Корпус: | TO-247-3 |
Максимальный ток коллектора, A: | 80 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 600 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.

Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.