FGH60N60SMD, Транзистор IGBT
Код товара: 012801
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Транзистор FGH60N60SMD Биполярный с изолированным затвором (IGBT)
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.9 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Ток коллектора @ TC = 25oC 120 A
Ток коллектора при температуре TC = 100oC 60 A
Pd - рассеивание мощности: 600 W
Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA
Рабочая температура: - 55 C ...+ 150 C
Корпус:TO-247-3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.9 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Ток коллектора @ TC = 25oC 120 A
Ток коллектора при температуре TC = 100oC 60 A
Pd - рассеивание мощности: 600 W
Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA
Рабочая температура: - 55 C ...+ 150 C
Корпус:TO-247-3
| Тип товара: | Транзисторы IGBT |
| Гарантия: | Отсутствует |
| Производитель: | ON Semiconductor Corporation-Fairchild Semiconductor (ONS-FSC) |
| Корпус: | TO-247-3 |
| Максимальный ток коллектора, A: | 60 |
| Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 600 |
Производитель оставляет за собой право изменять
характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного
уведомления продавца.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Написать отзыв
Изображение и описание, параметры товаров, представленных на нашем сайте, носят исключительно
информационный характер и могут быть неточными.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
