FGH60N60SMD, Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.9 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Ток коллектора @ TC = 25oC 120 A
Ток коллектора при температуре TC = 100oC 60 A
Pd - рассеивание мощности: 600 W
Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA
Рабочая температура: - 55 C ...+ 150 C
Корпус:TO-247-3
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ON Semiconductor Corporation-Fairchild Semiconductor (ONS-FSC) |
Корпус: | TO-247-3 |
Максимальный ток коллектора, A: | 60 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 600 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.