FGL60N100BNTD, Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:1000 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:1.5 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:25 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:60 A
Pd - рассеивание мощности:180 W
Рабочая температура:- 55 C...:+ 150 C
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.:60 A
Непрерывный коллекторный ток:60 A
Ток утечки затвор-эмиттер:+/- 500 nA
Корпус: TO-264-3
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ON Semiconductor Corporation-Fairchild Semiconductor (ONS-FSC) |
Корпус: | TO-264-3(2-21F2A) |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.