FGPF15N60UNDF
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 42
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 8.5
Время нарастания типовое (tr), nS: 9.8
Входная емкость при закороченном выходе (IGBT) 619 pF
Выходная емкость при закороченном входе (IGBT, MOS) 24 pF
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 43
Диапазон температур хранения Tstg от −55 до 150 °C
Корпус TO-220-3-FP
Не показывать на сайте: | Да |
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Toshiba (TOS) |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.