FMV11N60E, Транзистор MOSFET
Код товара: 073496
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Транзистор MOSFET FMV11N60E
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 48.5 nC
Время нарастания (tr): 9.5 ns
Выходная емкость (Cd): 150 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm
Корпус TO-220-3-FP
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 48.5 nC
Время нарастания (tr): 9.5 ns
Выходная емкость (Cd): 150 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm
Корпус TO-220-3-FP
| Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
| Гарантия: | Отсутствует |
| Производитель: | Fujitsu Microelectronics(FUJ) |
Производитель оставляет за собой право изменять
характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного
уведомления продавца.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Написать отзыв
Изображение и описание, параметры товаров, представленных на нашем сайте, носят исключительно
информационный характер и могут быть неточными.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
