FQP27P06, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Полярность транзистора: P-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V
Id - непрерывный ток утечки: 27 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 70 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 4 V
Qg - заряд затвора: 43 nC
Pd - рассеивание мощности: 120 W
Канальный режим: Enhancement
Коммерческое обозначение: QFET
Тип транзистора: 1 P-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 12.4 S
Время спада: 90 ns
Время нарастания: 185 ns
Типичное время задержки выключения: 30 ns
Типичное время задержки при включении: 18 ns
Рабочая температура: - 55 C...+ 175 C
Корпус TO-220-3(TO-220AB)
Не показывать на сайте: | Нет |
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | ON Semiconductor Corporation(ONS) |
Корпус: | TO-220-3(TO-220AB) |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.