FQPF10N60C, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V
Id - непрерывный ток утечки Tc=25C: 9.5 A
Tc=100C: 5.7A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 730 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 30 V, + 30 V
Pd - рассеивание мощности: 50 W
Канальный режим: Enhancement
Тип транзистора: 1 N-Channel
Время спада: 77 ns
Время нарастания: 69 ns
Типичное время задержки выключения: 144 ns
Типичное время задержки при включении: 23 ns
Рабочая температура: - 55 C...+ 150 C
Корпус TO-220-3-FP
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ON Semiconductor Corporation(ONS) |
Корпус: | TO-220-3-FP |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 600 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.