FQPF8N60C, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Конфигурация: Single
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V
Id - непрерывный ток утечки: 7.5 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 1.2 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 4 V
Qg - заряд затвора: 28 nC
Pd - рассеивание мощности: 48 W
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 8.7 S
Время спада: 64.5 ns
Время нарастания: 60.5 ns
Типичное время задержки выключения: 81 ns
Типичное время задержки при включении: 16.5 ns
Рабочая температура: - 55 C ...+ 150 C
Корпус: TO-220F-3
Не показывать на сайте: | Да |
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | ON Semiconductor Corporation-Fairchild Semiconductor (ONS-FSC) |
Корпус: | TO-220-3-FP |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.