GT30F131, Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg):
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200A (pulse)
Корпус: D2Pak (TO-220SM)
Не показывать на сайте: | Да |
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Toshiba (TOS) |
Корпус: | TO-263-3(D2PAK) |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.