GT50JR22, Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Ток коллектора I C 50 A
Напряжение пробоя V CES 600 В
VCE(sat),В 1.65
td(on) (тип.),нс 250
tr (тип.),нс 80
td(off) (тип.),нс 370
PD,Вт 76
IF(FWD),А 40
Кол-во ключей 2
Конфигурация
NTC Да
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-3P (N)
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Toshiba (TOS) |
Корпус: | TO-3P(N) (2-16C1A) |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 600 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.