GT60M104
Код товара: 054634
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Транзистор IGBT GT60M104
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.4
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 250
Тип корпуса: 2-21F2C
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.4
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 250
Тип корпуса: 2-21F2C
| Тип товара: | Транзисторы IGBT |
| Гарантия: | Отсутствует |
| Производитель: | КНР |
Производитель оставляет за собой право изменять
характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного
уведомления продавца.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Написать отзыв
Изображение и описание, параметры товаров, представленных на нашем сайте, носят исключительно
информационный характер и могут быть неточными.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
