GT60N321, Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 170
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 230
Корпус: 2-21F2C
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | Toshiba (TOS) |
Корпус: | 2-21F2C |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.