HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Технические характеристики:
Структура: N-канал c обратным диодом
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:1.8 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:70 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.:70 A
Непрерывный коллекторный ток:70 A
Ток утечки затвор-эмиттер:+/- 250 nA
Время включения 15ns
Время выключения 73ns
Время восстановления диода 35ns
Заряд затвора 142nc
Pd - рассеивание мощности:290 W
рабочая температура:- 55 C....+ 150 C
Корпус: TO247
Не показывать на сайте: | Нет |
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Запрет отгрузки: | Нет |
Гарантия: | Отсутствует |
Нестандартный груз: | Нет |
Производитель: | ON Semiconductor Corporation-Fairchild Semiconductor (ONS-FSC) |
Корпус: | TO-247-3 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 600 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.