HGTG30N60B3D, Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Технология: Si
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.45 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 60 A
Pd - рассеивание мощности: 208 W
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 60 A
Непрерывный коллекторный ток: 60 A
Ток утечки затвор-эмиттер: +/- 250 nA
Рабочая температура: - 55 C...+ 150 C
Корпус :TO-247-3
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | ON Semiconductor Corporation-Fairchild Semiconductor (ONS-FSC) |
Корпус: | TO-247-3 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 600 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.