HGTG30N60B3D, Транзистор IGBT
Код товара: 030457
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) HGTG30N60B3D
Технология: Si
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.45 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 60 A
Pd - рассеивание мощности: 208 W
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 60 A
Непрерывный коллекторный ток: 60 A
Ток утечки затвор-эмиттер: +/- 250 nA
Рабочая температура: - 55 C...+ 150 C
Корпус :TO-247-3
Технология: Si
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.45 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 60 A
Pd - рассеивание мощности: 208 W
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 60 A
Непрерывный коллекторный ток: 60 A
Ток утечки затвор-эмиттер: +/- 250 nA
Рабочая температура: - 55 C...+ 150 C
Корпус :TO-247-3
| Тип товара: | Транзисторы IGBT |
| Гарантия: | Отсутствует |
| Производитель: | ON Semiconductor Corporation-Fairchild Semiconductor (ONS-FSC) |
| Корпус: | TO-247-3 |
| Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 600 |
Производитель оставляет за собой право изменять
характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного
уведомления продавца.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Написать отзыв
Изображение и описание, параметры товаров, представленных на нашем сайте, носят исключительно
информационный характер и могут быть неточными.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
