HXY7N65F, Транзистор MOSFET
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Количество каналов:1 Channel
Полярность транзистора:N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток:650 V
Id - непрерывный ток утечки:7 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:1.4 Ohms
Vgs - напряжение затвор-исток:30 V
Pd - рассеивание мощности:52 W
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:8 S
Время спада:55 ns
Время нарастания:50 ns
Типичное время задержки выключения:90 ns
Типичное время задержки при включении:20 ns
Рабочая температура:- 55 C... + 150 C
Корпус TO-220-3-FP
Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | HUAXUANYANG ELECTRONICS CO.,LTD (HXY) |
Корпус: | TO-220-3-FP |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 650 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.