HY1906P
Код товара: 091180
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
Транзистор MOSFET HY1906P
Тип канала управления: N-канал
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 188 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 876 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0075
Пакет: TO-220FB-3L
Тип канала управления: N-канал
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 188 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 876 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0075
Пакет: TO-220FB-3L
| Тип товара: | Транзисторы MOSFET |
| Гарантия: | Отсутствует |
| Производитель: | HUAYI MICROECLECTRONICS |
Производитель оставляет за собой право изменять
характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного
уведомления продавца.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Написать отзыв
Изображение и описание, параметры товаров, представленных на нашем сайте, носят исключительно
информационный характер и могут быть неточными.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.
