IGW50N60H3, Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.85 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 100 A
Pd - рассеивание мощности: 333 W
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 100 A
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA
Корпус:TO-247-3
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | INFINEON/International Rectifier |
Корпус: | TO-247-3 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.