IHW20N120R3FKSA1 (H20R1203), Транзистор IGBT
- Описание
- Характеристики
- Отзывы0
- Наличие в магазинах
Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.48 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V
Непрерывный ток коллектора при Tc=25°С: 40 А
Непрерывный ток коллектора при Tc=100°C: 20А
Pd - рассеивание мощности: 310 W
Непрерывный коллекторный ток: 40 A
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA
Термическое сопротивление IGBT переход-корпус 0,48 кВт
Тепловое сопротивление диода переход - корпус 0,48 кВт
Соединение теплового сопротивления - окружающая среда 40 кВт
Входная емкость Cies 1503 пФ
Выходная емкость Coes 50 пФ
Заряд затвора QG 211,0 нКл
Индуктивность внутреннего эмиттера, измеренная на расстоянии 5 мм (0,197 дюйма) от корпуса, составила 13,0 нГн.
Рабочая температура: - 40 C ...+ 175 C
Marking H20R1203
Корпус: TO-247-3
Тип товара: | Транзисторы IGBT |
Гарантия: | Отсутствует |
Производитель: | INFINEON(INF) |
Корпус: | TO-247-3 |
Максимальный ток коллектора, A: | 40 |
Напряжение сток-исток (коллектор-эмиттер): | 1200 |
Предложение по продаже товара действительно в течение срока наличия этого товара на складе.
Цена в розничных магазинах может отличаться от указанной на сайте.